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IRFR9310TRL

IRFR9310TRL

僅供參考

型號 IRFR9310TRL
PNEDA編號 IRFR9310TRL
描述 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR9310TRL資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR9310TRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR9310TRL, IRFR9310TRL數據表 (總頁數: 11, 大小: 241.63 KB)
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IRFR9310TRL規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.4pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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20nC @ 10V

Vgs(最大)

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-

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