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IRFS4229TRLPBF

IRFS4229TRLPBF

僅供參考

型號 IRFS4229TRLPBF
PNEDA編號 IRFS4229TRLPBF
描述 MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 17,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS4229TRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS4229TRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFS4229TRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4560pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

37W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

424pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.6nC @ 10V

Vgs(最大)

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