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IRFS7430TRLPBF

IRFS7430TRLPBF

僅供參考

型號 IRFS7430TRLPBF
PNEDA編號 IRFS7430TRLPBF
描述 MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS7430TRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS7430TRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFS7430TRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs460nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14240pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 42.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 25V

FET功能

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 34µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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