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IRFS7530PBF

IRFS7530PBF

僅供參考

型號 IRFS7530PBF
PNEDA編號 IRFS7530PBF
描述 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS7530PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS7530PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFS7530PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs411nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13703pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

81mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.88nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

52.5pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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