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IRFSL7434PBF

IRFSL7434PBF

僅供參考

型號 IRFSL7434PBF
PNEDA編號 IRFSL7434PBF
描述 MOSFET N-CH 40V 195A TO262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFSL7434PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFSL7434PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFSL7434PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs324nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10820pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)294W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 25V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1425pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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