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IRFSL7730PBF

IRFSL7730PBF

僅供參考

型號 IRFSL7730PBF
PNEDA編號 IRFSL7730PBF
描述 MOSFET N-CH 75V 195A TO262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFSL7730PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFSL7730PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFSL7730PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs407nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

204A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

+22V, -6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1360W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

Module

包裝/箱

Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 31W (Tc)

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