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IRFU3709Z-701P

IRFU3709Z-701P

僅供參考

型號 IRFU3709Z-701P
PNEDA編號 IRFU3709Z-701P
描述 MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU3709Z-701P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU3709Z-701P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRFU3709Z-701P規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)86A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2330pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 8A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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