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IRFU3710ZPBF

IRFU3710ZPBF

僅供參考

型號 IRFU3710ZPBF
PNEDA編號 IRFU3710ZPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU3710ZPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU3710ZPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU3710ZPBF, IRFU3710ZPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 161.69 KB)
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IRFU3710ZPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2930pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)140W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

181nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4840pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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