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IRFU5505

IRFU5505

僅供參考

型號 IRFU5505
PNEDA編號 IRFU5505
描述 MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU5505資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU5505
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU5505, IRFU5505數據表 (總頁數: 11, 大小: 113.21 KB)
PDFIRFR5505TRR數據表 封面
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IRFU5505規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 370µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

89.3W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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AUIRF7647S2TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Ta), 24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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