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IRFU9010

IRFU9010

僅供參考

型號 IRFU9010
PNEDA編號 IRFU9010
描述 MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU9010資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU9010
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU9010, IRFU9010數據表 (總頁數: 10, 大小: 275.04 KB)
PDFIRFU9010數據表 封面
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IRFU9010規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds240pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251AA
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

114mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

375A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.59mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20082pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 341W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

89mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1785W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

435mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

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3.8W (Ta), 88W (Tc)

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