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IRFZ48Z

IRFZ48Z

僅供參考

型號 IRFZ48Z
PNEDA編號 IRFZ48Z
描述 MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFZ48Z資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFZ48Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFZ48Z, IRFZ48Z數據表 (總頁數: 13, 大小: 283.55 KB)
PDFIRFZ48ZS數據表 封面
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IRFZ48Z規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)61A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1720pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)91W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

827pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.15W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

645pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 660µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

139W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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