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IRG4BC10SD

IRG4BC10SD

僅供參考

型號 IRG4BC10SD
PNEDA編號 IRG4BC10SD
描述 IGBT 600V 14A 38W TO220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC10SD資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC10SD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4BC10SD, IRG4BC10SD數據表 (總頁數: 10, 大小: 313.86 KB)
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IRG4BC10SD規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)18A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 8A
功率-最大38W
開關能量310µJ (on), 3.28mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15nC
25°C時的Td(開/關)76ns/815ns
測試條件480V, 8A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)28ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

500W

開關能量

1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/160ns

測試條件

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

52A

電流-集電極脈沖(Icm)

104A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

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Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

1.5mJ (on), 3.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

127nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/284ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 16A

功率-最大

250W

開關能量

2.97mJ (on), 790µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/336ns

測試條件

850V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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