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IRG4PF50WDPBF

IRG4PF50WDPBF

僅供參考

型號 IRG4PF50WDPBF
PNEDA編號 IRG4PF50WDPBF
描述 IGBT 900V 51A 200W TO247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4PF50WDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4PF50WDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4PF50WDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)51A
電流-集電極脈沖(Icm)204A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 28A
功率-最大200W
開關能量2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用160nC
25°C時的Td(開/關)71ns/150ns
測試條件720V, 28A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)90ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

290W

開關能量

1.13mJ (on), 310µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/115ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

63A

電流-集電極脈沖(Icm)

125A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

3.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

127nC

25°C時的Td(開/關)

-/284ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 7A

功率-最大

60W

開關能量

165µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

480V, 7A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

284µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

158nC

25°C時的Td(開/關)

-/260ns

測試條件

400V, 50A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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