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IRG4RC10UTRL

IRG4RC10UTRL

僅供參考

型號 IRG4RC10UTRL
PNEDA編號 IRG4RC10UTRL
描述 IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4RC10UTRL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4RC10UTRL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4RC10UTRL, IRG4RC10UTRL數據表 (總頁數: 9, 大小: 136.69 KB)
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IRG4RC10UTRL規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)8.5A
電流-集電極脈沖(Icm)34A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 5A
功率-最大38W
開關能量80µJ (on), 160µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15nC
25°C時的Td(開/關)19ns/116ns
測試條件480V, 5A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

833W

開關能量

8045µJ (on), 7640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/620ns

測試條件

800V, 75A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

270W

開關能量

1.59mJ (on), 750µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/173ns

測試條件

400V, 50A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

560W

開關能量

4.4mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

136ns/360ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 5A

功率-最大

70W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

960V, 5A, 27Ohm, 10V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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