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IRG5U200HF12B

IRG5U200HF12B

僅供參考

型號 IRG5U200HF12B
PNEDA編號 IRG5U200HF12B
描述 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG5U200HF12B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG5U200HF12B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG5U200HF12B, IRG5U200HF12B數據表 (總頁數: 6, 大小: 889.31 KB)
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IRG5U200HF12B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)285A
功率-最大1250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.5V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce22.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 62 Module
供應商設備包裝POWIR® 62

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

430A

功率-最大

1562W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 360A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

17.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800A

功率-最大

4800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

172nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1060W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

22.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

功率-最大

62W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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