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IRG5W50HF06A

IRG5W50HF06A

僅供參考

型號 IRG5W50HF06A
PNEDA編號 IRG5W50HF06A
描述 MOD IGBT 600V 50A POWIR 34
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG5W50HF06A資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG5W50HF06A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG5W50HF06A, IRG5W50HF06A數據表 (總頁數: 6, 大小: 854.94 KB)
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IRG5W50HF06A規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大260W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 34 Module
供應商設備包裝POWIR® 34

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Infineon Technologies

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-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

5000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 1200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

86nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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IGBT類型

Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

405W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.24nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

357W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.085nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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