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IRG7CH11K10EF

IRG7CH11K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH11K10EF
PNEDA編號 IRG7CH11K10EF
描述 IGBT 1200V DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 13 - 二月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH11K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH11K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH11K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 14A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/166ns

測試條件

960V, 14A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.4µs

工作溫度

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/600ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 39A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

260W

開關能量

2.6mJ (on), 1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

415nC

25°C時的Td(開/關)

130ns/385ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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