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IRG7CH35UED

IRG7CH35UED

僅供參考

型號 IRG7CH35UED
PNEDA編號 IRG7CH35UED
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH35UED資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH35UED
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH35UED規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

257W

開關能量

890µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

171nC

25°C時的Td(開/關)

85ns/174ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

77ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

功率-最大

276W

開關能量

1.17mJ (on), 940µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

41ns/142ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

102ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 5A

功率-最大

88W

開關能量

56µJ (on), 78.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

43nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/140ns

測試條件

400V, 5A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

134.5ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

135A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/275ns

測試條件

900V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

152ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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