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IRG7CH44K10EF

IRG7CH44K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH44K10EF
PNEDA編號 IRG7CH44K10EF
描述 IGBT CHIP WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 4 - 三月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH44K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH44K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG7CH44K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)25A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 25A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用160nC
25°C時的Td(開/關)60ns/230ns
測試條件600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7.2V @ 15V, 3A

功率-最大

68W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

26nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

290W

開關能量

4.5mJ (on), 5.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 50A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

18.5ns/72ns

測試條件

390V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

161W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

40nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/75ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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