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IRG7CH73K10EF

IRG7CH73K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH73K10EF
PNEDA編號 IRG7CH73K10EF
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH73K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH73K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG7CH73K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 20A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用360nC
25°C時的Td(開/關)63ns/267ns
測試條件600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 4V, 20A

功率-最大

165W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 30A

功率-最大

937W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

282W

開關能量

840µJ (on), 220µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/417ns

測試條件

400V, 25A, 16Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

110ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

535W

開關能量

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

313nC

25°C時的Td(開/關)

116ns/286ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

240ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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