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IRG7CH73K10EF-R

IRG7CH73K10EF-R

僅供參考

型號 IRG7CH73K10EF-R
PNEDA編號 IRG7CH73K10EF-R
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH73K10EF-R資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH73K10EF-R
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG7CH73K10EF-R, IRG7CH73K10EF-R數據表 (總頁數: 4, 大小: 143.01 KB)
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IRG7CH73K10EF-R規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 20A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用420nC
25°C時的Td(開/關)105ns/45ns
測試條件600V, 75A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/150ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

100W

開關能量

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

47nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 15A, 56Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

99A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 70A

功率-最大

350W

開關能量

8.8mJ (on), 9.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

380nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/250ns

測試條件

960V, 70A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

110ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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