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IRG7T100HF12A

IRG7T100HF12A

僅供參考

型號 IRG7T100HF12A
PNEDA編號 IRG7T100HF12A
描述 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7T100HF12A資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7T100HF12A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG7T100HF12A, IRG7T100HF12A數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,045.69 KB)
PDFIRG7T100HF12A數據表 封面
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IRG7T100HF12A規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大575W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce13.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 34 Module
供應商設備包裝POWIR® 34

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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800A

功率-最大

4800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

180nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

-

配置

Half Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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DD1200S12H4HOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1200A

功率-最大

1200000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 1200A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

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系列

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

105A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 82A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4060pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

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系列

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配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

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