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IRG8B08N120KDPBF

IRG8B08N120KDPBF

僅供參考

型號 IRG8B08N120KDPBF
PNEDA編號 IRG8B08N120KDPBF
描述 DIODE 1200V 8A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8B08N120KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8B08N120KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG8B08N120KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)15A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 5A
功率-最大89W
開關能量300µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用45nC
25°C時的Td(開/關)20ns/160ns
測試條件600V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)50ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.14V @ 15V, 60A

功率-最大

78W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

1ns/65ns

測試條件

196V, 12A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D2PAK

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

250µJ (on), 640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

43ns/240ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

RJH60V3BDPE-00#J3

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 17A

功率-最大

113W

開關能量

90µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

60nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/90ns

測試條件

300V, 17A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-83

供應商設備包裝

4-LDPAK

FGH75T65SQDNL4

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

375W

開關能量

1.25mJ (on), 1.26mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

152nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/208ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

134ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-4L

NGTB50N60S1WG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

417W

開關能量

1.5mJ (on), 460µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/237ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

94ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-3

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