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IRG8CH106K10F

IRG8CH106K10F

僅供參考

型號 IRG8CH106K10F
PNEDA編號 IRG8CH106K10F
描述 IGBT 1200V 110A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH106K10F資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH106K10F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG8CH106K10F規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 110A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用700nC
25°C時的Td(開/關)80ns/380ns
測試條件600V, 110A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 55A

功率-最大

200W

開關能量

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

185nC

25°C時的Td(開/關)

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 120A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 75A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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