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IRG8CH15K10D

IRG8CH15K10D

僅供參考

型號 IRG8CH15K10D
PNEDA編號 IRG8CH15K10D
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH15K10D資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH15K10D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8CH15K10D規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

278W

開關能量

1.55mJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/74ns

測試條件

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 20A

功率-最大

190W

開關能量

2.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

72nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 40A

功率-最大

468W

開關能量

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

129nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/148ns

測試條件

600V, 40A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

355ns

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 15A

功率-最大

160W

開關能量

730µJ (on), 1.66mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

94nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/200ns

測試條件

960V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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