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IRG8P08N120KDPBF

IRG8P08N120KDPBF

僅供參考

型號 IRG8P08N120KDPBF
PNEDA編號 IRG8P08N120KDPBF
描述 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8P08N120KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8P08N120KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG8P08N120KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)15A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 5A
功率-最大89W
開關能量300µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用45nC
25°C時的Td(開/關)20ns/160ns
測試條件600V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)50ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC

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200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 36A

功率-最大

600W

開關能量

720µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

64nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/62ns

測試條件

360V, 36A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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FGD3040G2-F085V

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

0.9µs/4.8µs

測試條件

300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D-PAK (TO-252)

FGH75T65SHDTL4

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

1.06mJ (on), 1.56mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

126nC

25°C時的Td(開/關)

55ns/189ns

測試條件

400V, 75A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

76ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247

AUIRGF65A40D0

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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52A

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