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IRG8P50N120KDPBF

IRG8P50N120KDPBF

僅供參考

型號 IRG8P50N120KDPBF
PNEDA編號 IRG8P50N120KDPBF
描述 IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8P50N120KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8P50N120KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG8P50N120KDPBF, IRG8P50N120KDPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 603.57 KB)
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IRG8P50N120KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)105A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 35A
功率-最大350W
開關能量2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用315nC
25°C時的Td(開/關)35ns/190ns
測試條件600V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)170ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC

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10A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 5A

功率-最大

81W

開關能量

75µJ (on), 59µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/44ns

測試條件

400V, 5A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

30µJ (on), 58µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/33ns

測試條件

480V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

8V @ 4.5V, 130A

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-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

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開關能量

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/146ns

測試條件

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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