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IRG8P75N65UD1PBF

IRG8P75N65UD1PBF

僅供參考

型號 IRG8P75N65UD1PBF
PNEDA編號 IRG8P75N65UD1PBF
描述 G8 650V 75A CO-PAK-247
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8P75N65UD1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8P75N65UD1PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8P75N65UD1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 8A

功率-最大

70W

開關能量

70µJ (on), 30µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/600ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/290ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

88A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 40A

功率-最大

500W

開關能量

1.38mJ (on), 906µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/163ns

測試條件

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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