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IRGB4B60KD1PBF

IRGB4B60KD1PBF

僅供參考

型號 IRGB4B60KD1PBF
PNEDA編號 IRGB4B60KD1PBF
描述 IGBT 600V 11A 63W TO220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGB4B60KD1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGB4B60KD1PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGB4B60KD1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 4A
功率-最大63W
開關能量73µJ (on), 47µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)22ns/100ns
測試條件400V, 4A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)93ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

160µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/93ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D2PAK

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Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 17A

功率-最大

113W

開關能量

290µJ (on), 290µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

60nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/90ns

測試條件

300V, 17A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

235A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

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開關能量

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

147nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/230ns

測試條件

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

220ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

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輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/240ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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