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IRGB5B120KDPBF

IRGB5B120KDPBF

僅供參考

型號 IRGB5B120KDPBF
PNEDA編號 IRGB5B120KDPBF
描述 IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGB5B120KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGB5B120KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGB5B120KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 6A
功率-最大89W
開關能量390µJ (on), 330µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用25nC
25°C時的Td(開/關)22ns/100ns
測試條件600V, 6A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)160ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

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60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

功率-最大

136W

開關能量

90µJ (on), 450µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/93ns

測試條件

400V, 15A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

142ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

ISL9V2040S3ST

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4V, 6A

功率-最大

130W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

-/3.64µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 16A

功率-最大

310W

開關能量

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

56nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/140ns

測試條件

850V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

150ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

功率-最大

220W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

575ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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19.2nC

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