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IRGBF20F

IRGBF20F

僅供參考

型號 IRGBF20F
PNEDA編號 IRGBF20F
描述 IGBT FAST 900V 20A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGBF20F資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGBF20F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRGBF20F, IRGBF20F數據表 (總頁數: 6, 大小: 97.95 KB)
PDFIRGBF20F數據表 封面
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IRGBF20F規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)9A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.3V @ 15V, 5.3A
功率-最大60W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

9.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/450ns

測試條件

960V, 25A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD (IXSH)

IRGP35B60PDPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 35A

功率-最大

308W

開關能量

220µJ (on), 215µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/110ns

測試條件

390V, 22A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AC

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 45A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

69nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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制造商

ON Semiconductor

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

功率-最大

375W

開關能量

3.68mJ (on), 1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/216ns

測試條件

400V, 75A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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