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IRGSL10B60KDPBF

IRGSL10B60KDPBF

僅供參考

型號 IRGSL10B60KDPBF
PNEDA編號 IRGSL10B60KDPBF
描述 IGBT 600V 22A 156W TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGSL10B60KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGSL10B60KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGSL10B60KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)22A
電流-集電極脈沖(Icm)44A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 10A
功率-最大156W
開關能量140µJ (on), 250µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用38nC
25°C時的Td(開/關)30ns/230ns
測試條件400V, 10A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)90ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

400W

開關能量

550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/190ns

測試條件

480V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.81V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

194µJ (on), 388µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

19.2ns/68.8ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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ON Semiconductor

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-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/600ns

測試條件

480V, 40A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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