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IRL2910STRRPBF

IRL2910STRRPBF

僅供參考

型號 IRL2910STRRPBF
PNEDA編號 IRL2910STRRPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL2910STRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL2910STRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL2910STRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 5V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1785pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 34.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

160W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

350mW

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