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IRL3103D2STRL

IRL3103D2STRL

僅供參考

型號 IRL3103D2STRL
PNEDA編號 IRL3103D2STRL
描述 MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3103D2STRL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3103D2STRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL3103D2STRL規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)54A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 910mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Transphorm

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 480V

FET功能

-

功耗(最大值)

81W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (8x8)

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2220pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.05W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 36.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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