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IRL3103STRRPBF

IRL3103STRRPBF

僅供參考

型號 IRL3103STRRPBF
PNEDA編號 IRL3103STRRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3103STRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3103STRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL3103STRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)64A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 8V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2760pF @ 15V

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-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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