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IRL3303STRLPBF

IRL3303STRLPBF

僅供參考

型號 IRL3303STRLPBF
PNEDA編號 IRL3303STRLPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3303STRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3303STRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3303STRLPBF, IRL3303STRLPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 292.71 KB)
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IRL3303STRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)38A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

47.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

187W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

560mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 430µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

162W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

370mW (Ta)

工作溫度

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-

功耗(最大值)

6W (Ta), 25W (Tc)

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