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IRL3714ZSPBF

IRL3714ZSPBF

僅供參考

型號 IRL3714ZSPBF
PNEDA編號 IRL3714ZSPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3714ZSPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3714ZSPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3714ZSPBF, IRL3714ZSPBF數據表 (總頁數: 13, 大小: 278.91 KB)
PDFIRL3714ZSTRLPBF數據表 封面
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IRL3714ZSPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 840mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

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功耗(最大值)

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