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IRL3714ZSTRR

IRL3714ZSTRR

僅供參考

型號 IRL3714ZSTRR
PNEDA編號 IRL3714ZSTRR
描述 MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3714ZSTRR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3714ZSTRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3714ZSTRR, IRL3714ZSTRR數據表 (總頁數: 13, 大小: 369.99 KB)
PDFIRL3714ZSTRL數據表 封面
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IRL3714ZSTRR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 150W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 25V

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