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IRL3715ZCSTRRP

IRL3715ZCSTRRP

僅供參考

型號 IRL3715ZCSTRRP
PNEDA編號 IRL3715ZCSTRRP
描述 MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3715ZCSTRRP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3715ZCSTRRP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3715ZCSTRRP, IRL3715ZCSTRRP數據表 (總頁數: 12, 大小: 706.78 KB)
PDFIRL3715ZCSTRLP數據表 封面
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IRL3715ZCSTRRP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

236pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 475µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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