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IRL520NSTRLPBF

IRL520NSTRLPBF

僅供參考

型號 IRL520NSTRLPBF
PNEDA編號 IRL520NSTRLPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL520NSTRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL520NSTRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL520NSTRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4615pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77.9nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5057pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

450V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 34.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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