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IRL530STRL

IRL530STRL

僅供參考

型號 IRL530STRL
PNEDA編號 IRL530STRL
描述 MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL530STRL資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL530STRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL530STRL, IRL530STRL數據表 (總頁數: 10, 大小: 300.62 KB)
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IRL530STRL規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds930pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

780mW (Ta), 21.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Ta), 423A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.65mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

285nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22610pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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