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IRL6283MTRPBF

IRL6283MTRPBF

僅供參考

型號 IRL6283MTRPBF
PNEDA編號 IRL6283MTRPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL6283MTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL6283MTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL6283MTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)38A (Ta), 211A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.75mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs158nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8292pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MD
包裝/箱DirectFET™ Isometric MD

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 15V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3930pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.3W (Ta), 83W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

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