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IRL8113SPBF

IRL8113SPBF

僅供參考

型號 IRL8113SPBF
PNEDA編號 IRL8113SPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL8113SPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL8113SPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL8113SPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)105A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2840pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 1.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AUIRFR5305TRL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTMFS4C022NT3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3071pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 64W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

226pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

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