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IRLHS2242TRPBF

IRLHS2242TRPBF

僅供參考

型號 IRLHS2242TRPBF
PNEDA編號 IRLHS2242TRPBF
描述 MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLHS2242TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLHS2242TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLHS2242TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.2A (Ta), 15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds877pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-PQFN (2x2)
包裝/箱6-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1362pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1312pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6334pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

774pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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