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IRLI610ATU

IRLI610ATU

僅供參考

型號 IRLI610ATU
PNEDA編號 IRLI610ATU
描述 MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLI610ATU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLI610ATU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLI610ATU, IRLI610ATU數據表 (總頁數: 7, 大小: 236.05 KB)
PDFIRLW610ATM數據表 封面
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IRLI610ATU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds240pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK (TO-262)
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1270pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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