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IRLIZ24G

IRLIZ24G

僅供參考

型號 IRLIZ24G
PNEDA編號 IRLIZ24G
描述 MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLIZ24G資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLIZ24G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLIZ24G, IRLIZ24G數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,701.28 KB)
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IRLIZ24G規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)37W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.04W (Ta), 75W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

92W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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