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IRLL014TRPBF

IRLL014TRPBF

僅供參考

型號 IRLL014TRPBF
PNEDA編號 IRLL014TRPBF
描述 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 21,090
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLL014TRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLL014TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLL014TRPBF, IRLL014TRPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 166.67 KB)
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IRLL014TRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.4nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

85V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 39µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 245A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.65mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

154nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8235pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 168A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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