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IRLR024TRPBF

IRLR024TRPBF

僅供參考

型號 IRLR024TRPBF
PNEDA編號 IRLR024TRPBF
描述 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 35,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR024TRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR024TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR024TRPBF, IRLR024TRPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 448.6 KB)
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IRLR024TRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

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