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IRLR3714ZTR

IRLR3714ZTR

僅供參考

型號 IRLR3714ZTR
PNEDA編號 IRLR3714ZTR
描述 MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR3714ZTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR3714ZTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR3714ZTR, IRLR3714ZTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 202.15 KB)
PDFIRLR3714ZTRL數據表 封面
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IRLR3714ZTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds560pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4270pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

145A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6195pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

153W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252AA

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPA50R190CE

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 6.2A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 510µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1137pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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140nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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