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IRLU024N

IRLU024N

僅供參考

型號 IRLU024N
PNEDA編號 IRLU024N
描述 MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLU024N資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLU024N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLU024N, IRLU024N數據表 (總頁數: 11, 大小: 167.46 KB)
PDFIRLR024NTRR數據表 封面
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IRLU024N規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5320pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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TO-251-3 Stub Leads, IPak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

148mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1865pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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